Статьи автора

Прогнозирование механических свойств высокоэнтропийного карбида (Ti0.2Zr0.2Hf0.2Nb0.2Ta0.2)C с применением потенциала машинного обучения

Номер выпуска 1 от 01.02.2024

Изучен шестикомпонентный высокоэнтропийный карбид (ВЭК) (Ti_0.2Zr_0.2Hf_0.2Nb_0.2Ta_0.2)C. Электронная структура рассчитывалась ab initio с помощью пакета VASP для суперячейки из 512 атомов, построенной с применением специальных квазислучайных структур. Путем глубокого машинного обучения получен потенциал искусственных нейронных сетей (ИНС-потенциал), качество которого оценивалось по величине среднеквадратичных отклонений энергий, сил и вириалов. Сгенерированный ИНС-потенциал использовался в пакете классической молекулярной динамики LAMMPS для анализа как бездефектной модели указанного сплава, состоящей из 4096 атомов, так и впервые для модели поликристаллического ВЭК, состоящей из 4603 атомов. Было проведено моделирование одноосного растяжения ячейки, определены коэффициенты упругости, модуль всестороннего сжатия, модуль упругости и коэффициент Пуассона. Полученные значения хорошо согласуются с экспериментальными и расчетными данными, что говорит о хорошей предсказательной способности сгенерированного потенциала.

72 0

Квантование электрической проводимости в слоистых мемристорных структурах Zr/ZrO₂/Au

Номер выпуска 1 от 01.12.2023

Нанотрубки диоксида циркония, синтезируемые методом анодирования, являются перспективной функциональной средой для формирования ячеек энергонезависимой резистивной памяти. В работе исследованы вольт-амперные характеристики в области низкой проводимости созданных мемристорных структур Zr/ZrO₂/Au. Впервые проанализированы обратимые механизмы формирования/разрушения единичных квантовых проводников на основе кислородных вакансий, с участием которых протекают процессы многократного резистивного переключения между низкоомным и высокоомным состояниями в нанотубулярном диоксидном слое. Предложена и обсуждается эквивалентная электрическая схема параллельного резисторного соединения, которая позволяет описывать наблюдаемое мемристивное поведение полученных слоистых структур.

13 0