English

RAS PresidiumДоклады Российской академии наук. Химия, науки о материалах Doklady Chemistry

ISSN (Print) 2686-9535
ISSN (Online) 3034-5111

A. A. Rempel

Academician of the RAS
Academician of the RAS

Author ID: 102981

By this author

High-entropy carbide (Ti0.2Zr0.2Hf0.2Nb0.2Ta0.2)C mechanical properties prediction with the use of machine learning potential

Issue number 1 from 01.02.2024

Изучен шестикомпонентный высокоэнтропийный карбид (ВЭК) (Ti_0.2Zr_0.2Hf_0.2Nb_0.2Ta_0.2)C. Электронная структура рассчитывалась ab initio с помощью пакета VASP для суперячейки из 512 атомов, построенной с применением специальных квазислучайных структур. Путем глубокого машинного обучения получен потенциал искусственных нейронных сетей (ИНС-потенциал), качество которого оценивалось по величине среднеквадратичных отклонений энергий, сил и вириалов. Сгенерированный ИНС-потенциал использовался в пакете классической молекулярной динамики LAMMPS для анализа как бездефектной модели указанного сплава, состоящей из 4096 атомов, так и впервые для модели поликристаллического ВЭК, состоящей из 4603 атомов. Было проведено моделирование одноосного растяжения ячейки, определены коэффициенты упругости, модуль всестороннего сжатия, модуль упругости и коэффициент Пуассона. Полученные значения хорошо согласуются с экспериментальными и расчетными данными, что говорит о хорошей предсказательной способности сгенерированного потенциала.

74 0

QUANTIZATION OF ELECTRICAL CONDUCTANCE IN LAYERED Zr/ZrO<sub>2</sub>/Au MEMRISTIVE STRUCTURES

Issue number 1 from 01.12.2023

Нанотрубки диоксида циркония, синтезируемые методом анодирования, являются перспективной функциональной средой для формирования ячеек энергонезависимой резистивной памяти. В работе исследованы вольт-амперные характеристики в области низкой проводимости созданных мемристорных структур Zr/ZrO₂/Au. Впервые проанализированы обратимые механизмы формирования/разрушения единичных квантовых проводников на основе кислородных вакансий, с участием которых протекают процессы многократного резистивного переключения между низкоомным и высокоомным состояниями в нанотубулярном диоксидном слое. Предложена и обсуждается эквивалентная электрическая схема параллельного резисторного соединения, которая позволяет описывать наблюдаемое мемристивное поведение полученных слоистых структур.

13 0

Индексирование